安徽大学网站7月16日音书，近期，安徽大学新式拓扑磁性材料与存储器件杜海峰团队，垄断聚焦离子束微纳器件制备时候制备出了寰宇上最小尺寸的斯格明子赛说念器件单位（赛说念宽度：100nm），鸠合高时空分手原位洛伦兹电镜时候，完毕了纳秒电脉冲运行下，100nm宽度赛说念中80nm磁斯格明子一维、贯通、高效的畅通，为构筑高密度、高速率、可靠的新式拓扑磁电子学器件提供了伏击支握。干系究诘收尾以“80nm斯格明子在100nm赛说念中的贯通畅通”为题发表在《当然-通信》上（Doi:10.1038/s41467-024-49976-6）。

安徽大学物资科学与信息时候究诘院宋东升老师为论文第一作家，双聘老师杜海峰为通信作家，强磁场科学中心张水森博士和刘艺舟究诘员，华南理工大学郑风珊老师，德国于利希究诘中心RafalE.Dunin-Borkowski老师,好意思国新罕布什尔大学臧家栋老师，安徽大学物科院王伟伟老师和物理与光电工程学院田亮堂老师为论文的伏击勾通者。

单个80 nm磁斯格明子在100 nm赛说念中的一维、贯通、高速畅通安徽大学

2009年，德国科学家在一类手性金属磁性材料中，发现一种具有超卓俗拓扑特质的磁结构，称之为磁斯格明子。其具有尺寸小、贯通性高、电流易操控等优点，有望当作下一代数据载体，用于构筑新式的磁电子学器件。完毕电流运行下磁斯格明子在纳米赛说念中贯通、可控的畅通，是器件构筑中最中枢的问题之一。

然则，在以前15年的究诘中，有两个要道问题仍未得回有用处理：（1）器件特征尺寸太大，现在践诺上展示的最小条带宽度大于400nm，不允洽器件的高密度条件；（2）斯格明子霍尔效应：磁斯格明子由于其自己独到的拓扑属性，在畅通进程中产生偏转，这会导致其畅通轨迹不行控，况且容易在赛说念范围灭绝，是器件构筑的伏击闭塞。

针对这两个问题，杜海峰团队发展了器件结构单位聚焦离子束加工制备时候，蓄意制备出厚度均匀、范围/名义平整、非晶层厚度小于2nm的高质地FeGe纳米条带（长度：10μm；宽度：100nm），为宽度现在报说念的最小尺寸；研制了透射电镜原位加电芯片，推广了洛伦兹透射电镜原位加电功能。

通过收尾电流脉冲宽度及电流密度，垄断赛说念范围的角落态磁结构贯通斯格明子畅通，完毕了单个80nm大小的磁斯格明子在100nmFeGe赛说念中的一维、贯通畅通。践诺完毕：器件特征尺寸约100nm；最小有用电流脉冲宽度2ns；最大畅通速率接近100m/s；斯格明子霍尔角为0°。这些收尾展示了纳米赛说念中磁斯格明子高速、贯通的畅通特质，为基于磁斯格明子器件的构筑奠定了基础。